
STPSC10H065 - 650 V、10 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管 - ST...
碳化硅(SiC)二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管,是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管
STPR1040D是快速恢复二极管,为TO220封装,峰值反压为400V,平均整流电路为10A,瞬态浪涌电流为125A,反向恢复时间为35ns。一般来说,只要选择快速恢复二极管,能满足10A400V就可以,如FCQ10A40等。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

STPSC10H065 - 650 V、10 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管 - ST...
碳化硅(SiC)二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管,是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管
STPR1040D是快速恢复二极管,为TO220封装,峰值反压为400V,平均整流电路为10A,瞬态浪涌电流为125A,反向恢复时间为35ns。一般来说,只要选择快速恢复二极管,能满足10A400V就可以,如FCQ10A40等。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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