ESD和半导体放电管什么区别?

ESD（Electrostatic Discharge Protection Devices），静电保护元器件，又称瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的多路或单路ESD保护器件，主要应用于各类通信接口静电保护，比如USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD等接口中。ESD静电保护器件封装形式多样，从单路的SOD-323到多路的SOT-23、SOT-143、SOT23-6L、SOIC-8、QFN-10等。电路设计工程师可以根据电路板布局及接口类型选择不同封装形式的ESD静电保护二极管。

半导体放电管，TSS（Thyristor Surge Suppressors），也称浪涌抑制晶闸管，是一种采用半导体工艺制成的PNPN结四层结构器件，其伏安特性与晶闸管类似，具有典型的开关特性。一般并联在电路中应用，正常工作状态下半导体放电管 处于截止状态，当电路中由于感应雷、 *** 作过电压等出现异常过电压时，半导体放电管快速导通泄放由异常过电压导致的异常过电流， 保护后端设备免遭异常过电压的损坏，异常过电压消失后，半导体放电管又恢复至截止状态。 

半导体放电管的主要参数：

VT：通态压降

VDRM：断态电压

VS：转折电压

IDRM：断态电压下流过的最大泄漏电流

IH：维持电流

IS：最大转换电流

当外加电压低于VDRM时，漏电流很小，处于断开状态。不影响被保护组件的正常工作。当外加电压大于VS时，半导体放电管很快进入导通状态，压降很小，起到了保护作用。外加电压恢复正常后，电流很快就降到低于维持电流IH，放电管自然恢复，回到阻断状态。

该器件的优点是导通电压小，几乎无热耗，可重复使用，能承受较大的冲击电流，响应快，使用安全、可靠，其性能优于其它瞬间过压保护元器件。

B35KE是BS3500K-E 的简写，实为

半导体闸流式浪涌保护器

特点: 1、双向浪涌电流吸收 DO-41

2、最大峰值脉冲电流：IPP =50A（10/1000μs）

3、最小击穿电压=340V

4、最大转折电压=490V

5、最小维持电流=150mA

6、极低的截止漏电流，IRM≤5μA

BS3500K-E是一个双向瞬态浪涌吸收器件，它主要在通讯设备（ADSL用户端）中起过电压保护作用，使敏感的通信设备免受雷击和其他瞬态电压的冲击。

BS3500K-E是在DSL前侧使用的一款性价比极高的半导体放电管。

其具备以下优点：

一、价格适中。

二、在价格适中的同时BS3500K-E能满足ITU-TK21CPE端测试标准：1、10/700US雷击浪涌1.5KV测试（等效内阻40Ω）；2、AC230V电力线碰触，以及AC600V电力线感应测试。

三、BS3500K-E还有优于同行业半导体放电管的小极间电容，能满足一部分DSL高传输速率的要求。

RV是压敏电阻Voltage Dependent Resistor的简写！为什么PCB板上标注RV呢？我想应该是在工程师绘图时没有这种新型元件的封装，又懒得自己绘制，所化挑了一个与之功能类似的元件RV（压敏电阻）代替BS3500K-E。

至于厂家的封装形式，有很多种，参数、标法也很乱，不用太在意！

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