半导体光电编辑部的网站怎么打不开

半导体材料的导电性对某些微量杂质极敏感.纯度很高的半导体材料称为本征半导体,常温下其电阻率很高,是电的不良导体.在高纯半导体材料中掺入适当杂质后,由于杂质原子提供导电载流子,使材料的电阻率大为降低.这种掺杂半导体常称为杂质半导体.杂质半导体靠导带电子导电的称N型半导体,靠价带空穴导电的称P型半导体.不同类型半导体间接触（构成PN结）或半导体与金属接触时,因电子（或空穴）浓度差而产生扩散,在接触处形成位垒,因而这类接触具有单向导电性.利用PN结的单向导电性,可以制成具有不同功能的半导体器件,如二极管、三极管、晶闸管等.此外,半导体材料的导电性对外界条件（如热、光、电、磁等因素）的变化非常敏感,据此可以制造各种敏感元件,用于信息转换.

半导体材料的特性参数有禁带宽度、电阻率、载流子迁移率、非平衡载流子寿命和位错密度.禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定,反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量.电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力.非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性.位错是晶体中最常见的一类缺陷.位错密度用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度,对于非晶态半导体材料,则没有这一参数.半导体材料的特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别 ,更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下,其特性的量值差别.

<半导体光电>现在仍是是中文核心期刊，位于“TN 电子技术、通信技术类"核心期刊表16

复合影响因子：0.407

综合影响因子：0.220

主办： 中国电子科技集团第四十四研究所

周期： 双月

ISSN： 1001-5868

CN： 50-1092/TN

创刊时间：1976

该刊被以下数据库收录：

CA 化学文摘(美)(2011)

SA 科学文摘(英)(2011)

CBST 科学技术文献速报(日)(2009)

中国科学引文数据库(CSCD—2008)

核心期刊：

中文核心期刊(2008)

中文核心期刊(2004)

中文核心期刊(2000)

中文核心期刊(1996)

中文核心期刊(1992)

《半导体学报》是中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物。它报道半导体物理学、半导体科学技术和相关科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，内容包括半导体超晶格和微结构物理，半导体材料物理，包括量子点和量子线等材料在内的新型半导体材料的生长及性质测试，半导体器件物理，新型半导体器件，集成电路的CAD设计和研制，新工艺，半导体光电子器件和光电集成，与半导体器件相关的薄膜生长工艺，性质和应用等等。本刊与物理类期刊和电子类期刊不同，是以半导体和相关材料为中心的，从物理，材料，器件到应用的，从研究到技术开发的，跨越物理和信息两个学科的综合性学术刊物。《半导体学报》发表中、英文稿件。《半导体学报》被世界四大检索系统（美国工程索引(EI)，化学文摘(CA)，英国科学文摘(SA)，俄罗斯文摘杂志(РЖ)）收录。

《半导体学报》1980年创刊。现为月刊，每期190页左右，国内外公开发行。每期均有英文目次，每篇中文论文均有英文摘要。《半导体学报》主编为王守武院士。国内定价为35元。主要读者对象是从事半导体科学研究、技术开发、生产及相关学科的科技人员、管理人员和大专院校的师生。国内读者可直接到全国各地邮局订阅。

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