清华团队论文登Nature，或为EUV光刻机发展提供新想法

【新智元导读】 2月25日，清华大学工程物理系唐传祥研究组与合作团队在《自然》上发表研究论文《稳态微聚束原理的实验演示》，报告了一种新型粒子加速光源「稳态微聚束」的首个原理验证实验。与之相关的极紫外光源有望解决自主研发光刻机中最核心的「卡脖子」难题。

最现代的研究用光源是基于粒子加速的。

这些都是大型设施，电子在其中被加速到几乎是光速，然后发射出具有特殊性质的光脉冲。

在基于存储环的同步辐射源中，电子束在环中旅行数十亿转，然后在偏转磁体中产生快速连续的非常明亮的光脉冲。

相比之下，自由电子激光器(FEL)中的电子束被线性加速，然后发出单次超亮的类似激光的闪光。

近年来，储能环源以及FEL源促进了许多领域的进步，从对生物和医学问题的深入了解到材料研究、技术开发和量子物理学。

现在，一个中德团队证明，在同步辐射源中可以产生一种脉冲模式，结合了两种系统的优点。

2月25日，清华大学工程物理系教授唐传祥研究组与来自亥姆霍兹柏林材料与能源研究中心（HZB）以及德国联邦物理技术研究院（PTB）的合作团队在Nature上发表了题为《稳态微聚束原理的实验演示》（ Experimental demonstration of the mechanism of steady-state microbunching ）的论文。

报告了一种新型粒子加速光源「稳态微聚束」（Steady-state microbunching，SSMB）的首个原理验证实验。

该研究与极紫外（EUV）光刻机光源密切相关，有望为EUV光刻机提供新技术路线。

SSMB光源首个原理验证实验，中德团队登上Nature

同步辐射源提供短而强烈的微束电子，产生的辐射脉冲具有类似于激光的特性（与FEL一样），但也可以按顺序紧密跟随对方（与同步辐射光源一样）。

大约十年前，斯坦福大学教授、清华大学杰出访问教授、著名加速理论家赵午和他的博士生Daniel Ratner以提出了「稳态微束」（SSMB）。

赵午教授

该机制还应该使存储环不仅能以高重复率产生光脉冲，而且能像激光一样产生相干辐射。

来自清华大学的青年物理学家邓秀杰在他的博士论文中提出了这些观点，并对其进行了进一步的理论研究。

2017年，赵午教授联系了HZB的加速物理学家，他们除了在HZB *** 作软X射线源BESSY II外，还在PTB *** 作计量光源（MLS）。

MLS是世界上第一个通过设计优化运行的光源，在所谓的 「低α模式 」下运行。

在这种模式下，电子束可以大大缩短。10多年来，那里的研究人员一直在不断开发这种特殊的运行模式。

HZB的加速专家Markus Ries解释说：「现在，这项开发工作的成果使我们能够满足具有挑战性的物理要求，在MLS实证确认SSMB原理」。

「SSMB团队中的理论小组在准备阶段就定义了实现机器最佳性能的物理边界条件。这使我们能够用MLS生成新的机器状态，并与邓秀杰一起对它们进行充分的调整，直到能够检测到我们正在寻找的脉冲模式」，HZB的加速物理学家Jörg Feikes说。

HZB和PTB专家使用了一种光学激光器，其光波与MLS中的电子束在空间和时间上精确同步耦合。

这就调制了电子束中电子的能量。

「这使得几毫米长的电子束在存储环中正好转了一圈后分裂成微束（只有1微米长），然后发射光脉冲，像激光一样相互放大」，Jörg Feikes解释道。

「对相干态的实验性探测绝非易事，但我们PTB的同事开发了一种新的光学检测装置，成功地进行了探测。」

SSMB概念提出后，赵午持续推动SSMB的研究与国际合作。

2017年，唐传祥与赵午发起该项实验，唐传祥研究组主导完成了实验的理论分析和物理设计，并开发测试实验的激光系统，与合作单位进行实验，并完成了实验数据分析与文章撰写。

揭示SSMB作为未来光子源潜力的关键一步，是在真实机器上演示其机制。在新的论文中，研究人员报告了SSMB机制的实验演示。

SSMB原理验证实验示意图

实验表明，存储在准等时环中的电子束可以产生亚微米级的微束和相干辐射，由1,064纳米波长激光器诱导的能量调制后一个完整的旋转。

结果验证了电子的光相可以在亚激光波长的精度上逐次相关。

SSMB原理验证实验结果

在这种相位相关性的基础上，研究人员通过应用相位锁定的激光器与电子轮流相互作用来实现SSMB。

该图示直观地展示了如何通过激光调制电子束来产生发射激光的微束，是实现基于SSMB的高重复性、高功率光子源的一个里程碑。

有望解决EUV卡脖子难题

没有顶尖的光刻机，是我国半导体行业发展的最大瓶颈。

光刻机的曝光分辨率与波长直接相关，半个多世纪以来，光刻机光源的波长不断缩小，芯片工业界公认的新一代主流光刻技术是采用波长为13.5纳米光源的EUV（极紫外光源）光刻。

大功率的EUV光源是EUV光刻机的核心基础。简而言之，光刻机需要的EUV光，要求是波长短，功率大。

EUV光刻机工作相当于用波长只有头发直径一万分之一的极紫外光，在晶圆上「雕刻」电路，最后将让指甲盖大小的芯片包含上百亿个晶体管，这种设备工艺展现了人类 科技 发展的顶级水平。

而昂贵的EUV光刻机也正是实现7nm的关键设备，目前，荷兰ASML是全球唯一一家能够量产EUV光刻机的厂商，而由于禁令，我国中芯国际订购的一台EUV仍未到货。

如果中国大陆无法引入ASML的EUV光刻机，则意味着大陆将止步于7nm工艺。

目前ASML公司采用的是高能脉冲激光轰击液态锡靶，形成等离子体然后产生波长13.5纳米的EUV光源，功率约250瓦。而随着芯片工艺节点的不断缩小，预计对EUV光源功率的要求将不断提升，达到千瓦量级。

SSMB光源的潜在应用之一是作为未来EUV光刻机的光源。它们产生的类似激光的辐射也超出了 "光 "的可见光谱，例如在EUV范围内，最后阶段，SSMB源可以提供一种新的辐射特性。脉冲是强烈的、集中的和窄带的。可以说，它们结合了同步辐射光的优势和FEL脉冲的优势。

可以说，基于SSMB的EUV光源有望实现大的平均功率，并具备向更短波长扩展的潜力，为大功率EUV光源的突破提供全新的解决思路。

EUV光刻机的自主研发还有很长的路要走，基于SSMB的EUV光源有望解决自主研发光刻机中最核心的「卡脖子」难题。

关于作者

本文的通讯作者唐传祥教授是清华大学的博士生导师。

1992年9月－1996年3月，考入 清华大学工程物理系硕博连读。1996年3月获得工学博士学位， 博士学位论文为“用于北京自由电子激光装置的多腔热阴极微波电子q的研究”。

1996年4月获得博士学位后，留校工作。

1996年7月 1998年6月期间，作为访问学者到德国DESY工作2年。在DESY工作期间，主要进行超导加速结构的优化及测量研究，并与J. Sekutowicz, M.Ferrario等合作提出了Superstructure的超导加速结构。

1998年6月回国后，继续在清华大学从事加速物理、高亮度注入器、汤姆逊散射X射线源、自由电子激光、新加速原理与新型加速结构、电子直线加速关键物理及技术、加速应用等方面的研究。

参考资料：

https://phys.org/news/2021-02-reveals-options-synchrotron-sources.html

https://news.tsinghua.edu.cn/info/1438/84915.htm

基于硅基晶体管，眼下业界主流的晶体管架构可分鳍式场效应晶体管、环绕栅极晶体管；而工业界的晶体管栅极尺寸为12纳米以上。在此背景下，芯片企业想要实现更高制程的芯片制造，提高光刻机精度和改进、优化晶体管架构是比较常见的方法。事实上，通过缩短晶体管栅极尺寸，提高晶体管数量也是提高芯片性能的可行方案。

为什么提到这个呢？当然是因为我们具备了第三种方案的技术。即通过缩短晶体管栅极尺寸，变相提高芯片性能。2022年3月12日消息，清华大学破冰行业技术瓶颈，首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管，且在此基础上具备良好的电学性能。

清华大学官网消息显示，由集成电路学院任天令教授带领的团队在小尺寸晶体管研究中获得了巨大的突破。成功实现了亚1纳米栅极长度的晶体管改造。这里简单普及一个知识，一般来说，晶体管栅极长度越短，硅基芯片架构可容纳的晶体管数量也就越高，如果有办法实现栅极长度和芯片性能的反比，也就是带电性能，那么我们完全可以降低对光刻机制程的要求。

更重要的一点来了，据清华大学官网消息显示：团队推出的亚1纳米栅极长度晶体管，具备良好的电学性能。这意味着通过缩短晶体管栅极长度降低或避免对EUV光刻机的依赖程度的方案有望实现。可能有些朋友会说，我们想到采用缩短晶体管栅极长度来提高芯片性能，国外想不到吗？答：国外能想到，但是技术、性能和电力稳定性都没有我们高。

事实上，早在2012年，日本实现了等效3纳米的平面无结构型硅基晶体管。2016年，美国实现了物理栅长1纳米的平面硫化钼晶体管。清华大学实现的亚1纳米栅极晶体管的物理栅长为0.34纳米。对比日美半导体，显然我们的精度更高一些。只是精度高了吗？当然不是！

首先让我们先分析一下日本与美国分别在2012年和2016年推出的等效3纳米、1纳米物理栅极晶体管的劣势。日本在2012年推出的等效3纳米平面无结构型硅基晶体管因架构的不成熟和晶体管性能的不稳定，导致项目最后搁置。而美国推出的物理栅长1纳米的平面硫化钼晶体管虽说有比较稳定可靠的架构支撑，但在原料的选择上却出了岔子。即采用稳定性极差的硫作为原料。

清华大学研究团队巧妙地利用现有的技术优势，将石墨烯薄膜超薄的单原子层厚度和优异的导电性能作为栅极，基于石墨烯的侧向电场来对垂直的Mo S2沟道进行开关控制，在确保性能、电场稳定性的基础上，实现了等效0.34纳米的物理栅极晶体管构造。

有意思的是，论石墨烯技术，我们可是西方的“祖师爷”。即早在2020年我们便实现了8英寸、12英寸石墨烯晶圆的商用量产。不过这倒解释了为何国外逐步放弃了对栅极长度的缩减方案，因为他们缺少成熟的原料技术。关于石墨烯，想必大伙早先也听说了许多关于该原料的报道。同等制程下的石墨烯芯片性能是硅基芯片的5~10倍。至于权威性，IEEE全球权威半导体组织给出了确认。即石墨烯材料有望成为未来延续摩尔定律的关键性原料。

回到清华大学这里。研究团队破冰成功的0.34纳米物理栅极晶体管，通过在石墨烯表面沉积金属并将其自然氧化的方式，完成了石墨烯垂直方向的电场屏蔽。这还没完，为了进一步提高晶体管的稳定性，清华团队还使用了原子层沉积的二氧化碳 铪作为栅极介质、化学气相沉积的单层二维二硫化钼薄膜作为沟道。

值得一提的是，为了实现对石墨烯边缘电场对垂直二硫化钼的有效调控，清华大学研究团队还采用了基于工艺计算机辅助设计（TCAD）。目前该研究成果已经发布在国际顶级学术期刊《自然》上。这也侧面打消了部分人对该项成果的怀疑、猜测。

总的来说，清华大学此次突破的研究成果，有望助力我们日后实现在高端芯片领域中的独立自主的目标。希望清华大学早日将这项技术推出、落地。早日实现从实验室到工厂应用的转变。

对于清华大学破冰成功的等效0.34纳米物理栅长晶体管，大伙有什么想说的呢？后续如果我们想要通过石墨烯来实现在半导体领域的持平、赶超，势必会遇到许多的难题。包括基础建设以及人才培养方面的。对此你有什么好的意见和建议呢？

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