半导体PN结中理想因子m怎么用实验测量出来?

半导体PN结中理想因子m怎么用实验测量出来?,第1张

m=(q/kT)*(dV/d(lnI)),q/kT是常数,dV/d(lnI)可以通过PN结的IV特性曲线得出。具体计算方法就是,先测得PN结的I-V曲线,再用ORIGIN或其他软件把 I 的信号值改成lnI,这样就得到了一条V-lnI曲线,取曲线中间那条斜线的斜率就是dV/d(lnI)了。

电子空穴运动其实都是电子在运动,空穴的运动其实就是和电子的相对运动

和电流类似,就空穴来说,我们说的空穴的运动就是电子反方向运动的结果

区别就在于,谁是多出来的,多出来的是电子么,就是电子流了,多出来的是空穴么,虽然是电子在运动,但我们称之为空穴流


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