半导体PN结中理想因子m怎么用实验测量出来?9e•2023-3-8•技术•阅读36m=(q/kT)*(dV/d(lnI)),q/kT是常数,dV/d(lnI)可以通过PN结的IV特性曲线得出。具体计算方法就是,先测得PN结的I-V曲线,再用ORIGIN或其他软件把 I 的信号值改成lnI,这样就得到了一条V-lnI曲线,取曲线中间那条斜线的斜率就是dV/d(lnI)了。电子和空穴的运动其实都是电子在运动,空穴的运动其实就是和电子的相对运动和电流类似,就空穴来说,我们说的空穴的运动就是电子反方向运动的结果区别就在于,谁是多出来的,多出来的是电子么,就是电子流了,多出来的是空穴么,虽然是电子在运动,但我们称之为空穴流欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出原文地址:https://54852.com/dianzi/5924593.html空穴运动电子曲线斜率赞 (0)打赏 微信扫一扫 支付宝扫一扫 9e一级用户组00 生成海报 富乐华半导体科技有限公司怎么样上一篇 2023-03-08焊接都有哪几种类型? 下一篇2023-03-08 发表评论 请登录后评论... 登录后才能评论 提交评论列表(0条)
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