硅和锗都位于金属和非金属的交界处,都可以做半导体材料.这句话对！

对。

交界处那边的元素性质有点像金属又有点像非金属，锗自然是金属，金子旁的字都是金属，只不过它有点非金属的性质。

铅元素在元素周期表中虽然在交界处，但铅是金属，并非是非金属。非金属才能做半导体材料，铅是金属材料。

金属与非金属元素交接处性质也在金属与非金属元素之间，为二者的过渡，也就是半导体，所以要在金属与非金属元素交接处找半导体材料．当然，这个工作现在已经取得了相当丰硕的成果。

扩展资料：

锗在周期表中的位置，正好夹在金属和非金属之间。锗虽属于金属，但却具有许多类似于非金属的性质，在化学上称为“半金属”。就其导电能力而言，优于一般非金属，劣于一般金属，故在物理学上被称为“半导体”。锗在地壳中的含量为一百万分之七，并不算稀有。然后，锗却非常分散，几乎没有比较集中的锗矿。

锗一般从铅锌冶炼或燃烧煤过程中以副产品回收。原料用火法冶炼或湿法冶炼从主金属分离并富集成锗精矿后，再氯化和分精馏或萃取提纯成纯四氯化锗。

参考资料来源：百度百科-锗半导体

具有半导体性质。对固体物理和固体电子学的发展有重要作用。锗的熔密度5.32克/厘米3，锗可能性划归稀散金属，锗化学性质稳定，常温下不与空气或水蒸汽作用，但在600～700℃时，很快生成二氧化锗。

并不是只有单晶硅或锗才能制作半导体器件，只是因为这两个材料性能比较好一点，也容易制作一些。 例如方铅矿(PbS)很早就用于无线电检波，氧化亚铜(Cu2O)用作固体整流器，闪锌矿(ZnS)是熟知的固体发光材料，碳化硅(SiC)的整流检波作用也较早被利用。硒(Se)是最早发现并被利用的元素半导体，曾是固体整流器和光电池的重要材料。元素半导体锗（Ge）放大作用的发现开辟了半导体历史新的一页，从此电子设备开始实现晶体管化。中国的半导体研究和生产是从1957年首次制备出高纯度(99.999999％～99.9999999％) 的锗开始的。采用元素半导体硅（Si）以后，不仅使晶体管的类型和品种增加、性能提高，而且迎来了大规模和超大规模集成电路的时代。以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ－Ⅴ族化合物的发现促进了微波器件和光电器件的迅速发展。

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