
芯片热压焊接工艺按内引线压焊后的形状不同分为两种:
球焊(丁头焊)和针脚焊。两种焊接都需要分别对焊接芯片的金属框架、空心劈刀进行加热(前者温度为 350~400℃,后者为150~250℃),并在劈刀上加适当的压力。
首先,将穿过空心劈刀从下方伸出的金丝段用氢氧焰或高压切割形成圆球,此球在劈刀下被压在芯片上的铝焊区焊接,利用此法进行焊接时,焊接面积较大,引线形变适度而且均匀,是较为理想的一种焊接形式。
随后将劈刀抬起,把金丝拉到另一端(即在引线框架上对应于要相联接的焊区),向下加压进行焊接,所形成的焊点称为针脚焊。
焊接芯片注意事项:
1、对于引线是镀金银处理的集成电路,只需用酒精擦拭引线即可。
2、对于事先将各引线短路的CMOS电路,焊接之前不能剪掉短路线,应在焊接之后剪掉。
3、工作人员应佩就防静电手环在防静电工作台上进行焊接 *** 作,工作台应干净整洁。
4、手持集成电路时,应持住集成电路的外封装,不能接触到引线。
5、焊接时,应选用20W的内热式电烙铁,而且电烙铁必须可靠接地。
6、焊接时,每个引线的焊接时间不能超过4s,连续焊接时间不能超过10s。
7、要使用低熔点的钎剂,一般钎剂熔点不应超过150℃。
8、对于MOS管,安装时应先S极,再G极最后D极的顺序进行焊接。
9、安装散热片时应先用酒精擦拭安装面,之后涂上一层硅胶,放平整之后安装紧固螺钉。
10、直接将集成电路焊接到电路板上时,爆接顺序为:地端→输出端→电源端→输入端的顺序。
扩展资料
芯片焊接工艺可分为两类:
①低熔点合金焊接法:采用的焊接材料有金硅合金、金镓合金、铟铅银合金、铅锡银合金等。
②粘合法:用低温银浆、银泥、环氧树脂或导电胶等以粘合方式焊接芯片。
集成电路塑料封装中,也常采用低温(200℃以下)银浆、银泥或导电胶以粘合的形式进行芯片焊接。另外,烧结时(即芯片粘完银浆后烘焙),气氛和温度视所采用的银浆种类不同而定。
低温银浆多在空气中烧结,温度为150~250℃;高温银浆采用氮气保护,烧结温度为380~400℃。
参考资料来源:百度百科-集成电路焊接工艺
导电银浆、导电胶、导电银胶的导电机理UNINWELL国际有限公司结合世界级客户使用的情况,把导电胶的工作机理介绍如下,供爱好导电胶的朋友参考:
导电胶粘剂的导电机理在于导电性填料之间的接触,这种填料与填料的相互接触是在粘料固化干燥后形成的,由此可见,在粘料固化干燥前,粘料和溶剂中的导电性填料是分别独立存在的,相互间不呈现连续接触,故处于绝缘状态。在粘料固化干燥后,由于溶剂蒸发和粘料固化的结果,导电填料相互间连结成链锁状,因而呈现导电性。这时,如果粘料 的量较导电性填料多得多,则即使在粘料固化后,导电性填料也不能连结成链锁状,于是,或者完全不呈现导电性,或者即使有导电性,它也是很不稳定的。反之,若导电性填料的量明显地多于粘料,那么由粘结料决定的胶膜的物化稳定性就将丧失,并且也不能获得导电性填料之间的牢固连结,因而导电性能不稳定。
UNINWELL国际有限公司最近开发成功新型环氧树脂导电胶,该产品在固化方面类似于贴片胶,但比它有更多优点。用于SMT时对胶的要求是在相对较高的温度下,在很短的时间内迅速固化。贴片胶的强度要求较低,一般10MPa左右即可,因为它只是起一个固定作用,结构强度主要由焊接来保证;而导电胶的强度则较高,应不小15MPa才能保证其可靠性,同时由于要求具有较低的体积电阻,必须加入较多的导电性填充材料,这对其强度降低也较多。该产品固化剂应采用潜伏型固化剂,导电填充材料一般采用银粉。研究人员在试验中采用端羧丁腈胶改性环氧树脂为基料,特制电解银粉作导电性填充材料,并制备了几种潜伏性固化剂。在150℃下固化10min后,当其体积电阻控制在2.0X10-4Ω.cm以下时,剪切强度均可达到12Mpa。但由于这些固化剂是固体,因此均匀分散有一定困难,在更短的时间固化时则强度较低,如150℃/5min固化时剪切强度只有8MPa左右。该胶采用潜伏型固化剂既有优点、也确有不足,一是固化时间较长(约为1.5-2小时),二是作为固体较难均匀分散到胶粘剂中,需进一步改进。而导电填充材料采用银粉目前无问题,一般以250目—350目左右较为适宜,颗粒为树枝状的较好。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
微信扫一扫
支付宝扫一扫
评论列表(0条)