硅片的特点

硅片的特点是不能有表面损伤（细微裂纹、线锯印记），形貌缺陷（弯曲、凹凸、厚薄不均）要最小化，对额外后端处理如抛光等的要求也要降到最低。

硅片的特点是硅片直径越大，技术要求越高，越有市场前景，价值也就越高。

硅片的特点是机械脆性，如果线锯工艺没有精密控制，细微的裂纹和弯曲都会对产品良率产生负面影响。

硅片的特点是硅片属于结晶硅.

结晶型的硅是暗黑蓝色的，很脆，密度2.32-2.34克／立方厘米，熔点1410℃，沸点2355℃，晶体硅属于原子晶体，硬而有金属光泽，有半导体性质。

在金属中，响应外加场的电子密度非常大，以至于外部电场只能穿透很短的距离进入材料。然而，在半导体中，可以响应外加场的较低密度的电子（可能还有空穴）足够小，以至于场可以穿透到材料中很远。这种场穿透会改变半导体表面附近的导电性。

发生表面电导的变化是因为施加的场将电子可用的能级改变到距离表面相当大的深度，这反过来又改变了表面区域中能级的占有率。对这种效应的典型处理是基于带弯曲图，该图显示了带边缘的能量位置作为材料深度的函数。

两层结构由绝缘体作为左侧层和半导体作为右侧层。这种结构的一个例子是MOS 电容器，它是一种由金属栅极触点、具有体触点的半导体本体（例如硅）和中间绝缘层（例如二氧化硅）组成的双端子结构，因此指定O）。

导带的最低能级和价带的最高能级。这些电平被正电压V的施加“弯曲” 。

由绝缘体作为左侧层和半导体作为右侧层。这种结构的一个例子是MOS 电容器，它是一种由金属栅极触点、具有体触点的半导体本体 （例如硅）和中间绝缘层（例如二氧化硅）组成的双端子结构，因此指定O）。导带的最低能级和价带的最高能级。这些电平被正电压V的施加“弯曲” 。

按照惯例，会显示电子的能量，因此穿透表面的正电压会降低导电边缘。虚线描绘了占据情况：低于该费米能级的状态更可能被占据，导带向费米能级靠拢，表明更多电子在绝缘体附近的导带中。

组成

FET由各种半导体构成，目前硅是最常见的。大部分的FET是由传统块体半导体制造技术制造，使用单晶半导体硅片作为反应区，或者沟道。

大部分的不常见体材料，主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶体管中，或者有机场效应晶体管中的非晶半导体。有机场效应晶体管基于有机半导体，常常用有机栅绝缘体和电极。

p型硅和n型硅形成pn结后，形成自建电场和势垒，同时能带形成了弯曲。

当能量大于硅禁带的光子照射时，p区和n区各自产生的少子在自建电场作用下，分别运动到n区和p区，由此形成光生电动势。这时pn结的势垒减低，能带的弯曲减弱。

随着光子辐照强度的增大，光生电动势再增大，这时pn结的势垒再减低，能带的弯曲再减弱......

这样，有了光生电动势，当外电路有连接时，就有电流了......

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