
PN结的电容效应限制了二极管三极管的最高工作效率,PN结的电容效应将导致反向时交流信号可以部分通过PN结,频率越高则通过越多。
二极管,三极管反向的时候,PN结两边的N区和P区仍然是导电的,这样两个导电区就成了电容的两个电极。从而构成PN结的电容效应。
为了减小这个电容,会减小PN结面积或增加PN结厚度,并且一般用势垒电容,扩散电容来等效。
PN结采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。PN结具有单向导电性,是电子技术中许多器件所利用的特性,例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。
也可以这样说。不过,二极管电容(pn结势垒电容)相当于是一种平板电容,究竟是充电还是放电,要决定于电路应用情况。另外,二极管电容是非线性电容,在正偏时增大,在反偏时减小。正偏时电容虽然增大,但其上的电压只能上升到0.7伏左右,0偏压时电容减小;反偏时虽然电容减小,但电容上的电压可以不断地增大,直到发生雪崩击穿。
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