光电检测器件的频率响应与半导体的什么特性有关?

光电检测器件基本上就是pn结二极管（Si、Ge、pin结光电二极管）。其频率响应主要决定于pn结势垒电容（电容越大，响应速度就越慢）；这与半导体的掺杂浓度有关，也与pn结面积有关。掺杂浓度越高，势垒厚度越薄，则势垒电容就越大；pn结面积越大，势垒电容就越大。

pin结光电二极管的势垒电容很小，故响应速度较快；但是，如果其中i型层太厚的话，则光生载流子渡越i型层的时间太长，反而又影响到响应速度。

其实么，抛开一切伟大的理论，半导体是一个设计过的固体机械，当光照射在半导体上就像水冲刷在一个水车上产生一个方向的势能，产生明显敏感度，而导体和绝缘体的状态就像水冲刷在不同的石头上，会产生势能但是他们都比较混乱互相抵消的比较多，所以表面上看上去敏感度低

半导体的光电导是指光照射半导体使电导增大的现象。本征半导体的电导能力（电导率）很小，经光照射后半导体内部产生光生载流子（电子或空穴），使其导电能力加大。光照射前后半导体电导的改变与光的波长、强度以及半导体中杂质缺陷态的能级位置密切相关。光电导应用于研究半导体中的杂质缺陷态，如施主、受主、缺陷、深能级杂质等在禁带中的能级位置（见半导体物理学），它的灵敏度比通常的光吸收实验高许多，电导率正比于载流子浓度及其迁移率的乘积。因此凡是能激发出载流子的入射光都能产生光电导。入射光可以使电子从价带激发到导带，因而同时增加电子和空穴的浓度；也可以使电子跃迁发生在杂质能级与某一能带之间，因而只增加电子浓度或只增加空穴浓度。前一过程引起的光电导称为本征光电导，后一过程引起的光电导称为杂质光电导。不管哪一种光电导，入射光的光子能量都必须等于或大于与该激发过程相应的能隙 ΔE（禁带宽度或杂质能级到某一能带限的距离），也就是光电导有一个最大的响应波长，称为光电导的长波限λ。http://ic.big-bit.com/

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