P型半导体中空穴是怎么扩散的？

空穴其实是没有这东西的，半导体学为了更加直观的研究而设置的这么种概念，实际上空穴是电子的欠缺。扩散就是高浓度的向低浓度的移动。空穴的扩散实质是旁边的电子填补这个位置，原来电子的位置就空出来，形成新的空穴。随着电之的反向移动，空穴就一步步向推进。

给黑点代表电子，圆圈代表空穴 例子：

①❷❸❹❺❻❼❽

❶②❸❹❺❻❼❽

❶❷③❹❺❻❼❽

❶❷❸④❺❻❼❽

❶❷❸❹⑤❻❼❽

❶❷❸❹❺⑥❼❽

❶❷❸❹❺❻⑦❽

❶❷❸❹❺❻❼⑧

上面就是空穴1位置如何移动到空穴8位置的

扩散技术目的在于控制半导体中特定区域内杂质的类型、浓度、深度和PN结。在集成电路发展初期是半导体器件生产的主要技术之一。但随着离子注入的出现，扩散工艺在制备浅结、低浓度掺杂和控制精度等方面的巨大劣势日益突出，在制造技术中的使用已大大降低。1 扩散机构2 替位式扩散机构这种杂质原子或离子大小与Si原子大小差别不大，它沿着硅晶体内晶格空位跳跃前进扩散，杂质原子扩散时占据晶格格点的正常位置，不改变原来硅材料的晶体结构。硼、磷、砷等是此种方式。 3． 填隙式扩散机构这种杂质原子大小与Si原子大小差别较大，杂质原子进入硅晶体后，不占据晶格格点的正常位置，而是从一个硅原子间隙到另一个硅原子间隙逐次跳跃前进。镍、铁等重金属元素等是此种方式在当今的亚微米工艺中，由于浅结、短沟的限制，硅片工艺后段的热过程越来越被谨慎地使用，但是退火仍然以不同的形式出现在工艺的流程中。退火可以激活杂质，减少缺陷，并获得一定的结深。它的工艺时间和温度关系到结深和杂质浓度。4磷掺杂由于磷掺杂的控制精度较底，它已经渐渐地退出了工艺制作的舞台。但是在一些要求不高的工艺步骤仍然在使用。5多晶掺杂向多晶中掺入大量的杂质，使多晶具有金属导电特质，以形成MOS之“M”或作为电容器的一个极板或形成多晶电阻，之所以不用离子注入主要是出于经济的原因

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