紫外分析时,为什么不选择标准加入法

在紫外光谱中，波长单位用nm（纳米）表示。紫外光的波长范围是10～380 nm，它分为两个区段。波长在10～200 nm称为远紫外区，这种波长能够被空气中的氮、氧、二氧化碳和水所吸收，因此只能在真空中进行研究工作，故这个区域的吸收光谱称真空紫外，由于技术要求很高，目前在有机化学中用途不大。波长在200～380 nm称为近紫外区，一般的紫外光谱是指这一区域的吸收光谱。波长在400～750 nm范围的称为可见光谱。常用的分光光度计一般包括紫外及可见两部分，波长在200～800 nm(或200～1000 nm)。

分子内部的运动有转动、振动和电子运动，相应状态的能量（状态的本征值）是量子化的，因此分子具有转动能级、振动能级和电子能级。通常，分子处于低能量的基态，从外界吸收能量后，能引起分子能级的跃迁。电子能级的跃迁所需能量最大，大致在1～20 eV(电子伏特）之间。根据量子理论，相邻能级间的能量差ΔE、电磁辐射的频率ν、波长λ符合下面的关系式

ΔE=hν=h×c/λ

式中h是普朗克常量，为6.624×10^-34J·s=4.136×10^-15 eV·s；c是光速，为2. 998×10^10 cm/s。应用该公式可以计算出电子跃迁时吸收光的波长。

许多有机分子中的价电子跃迁，须吸收波长在200～1000 nm范围内的光，恰好落在紫外-可见光区域。因此，紫外吸收光谱是由于分子中价电子的跃迁而产生的，也可以称它为电子光谱。

回答于 2017-05-26

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采用紫外光谱法和荧光光谱进法行实验的步骤

一、 实验原理1、 材料发光原理光照射在某些物质上时，基态分子吸收光后跃迁为激发态，激发态分子在因转动，振动等损失一部分激发能量后，以无辐射跃迁下降到低振动能级，再从低振动能级下降到基态，过程中激发态分子将以光的形式释放出能量，该光称为荧光。影响辐射跃迁过程的不仅是该过程的初态和末态的能级位置和性质，在激发过程中涉及的其他能级及有关的非辐射过程也常对辐射跃迁过程有不同程度的影响。 进行辐射跃迁过程的实体是发光中心。若发光过程从吸收到发射光子都在一个中心进行，该发光中心称为分立发光中心。若作为发光中心的离子的外层电子受到晶体场的作用很强，以至在被激发后可以进入导带（空穴进入价带），被激发了的载流子重新复合而发光叫做复合发光。半导体的发光主要是辐射复合发光，是光吸收的逆过程，因此通常与半导体的电子激发有关。这种激发是不稳定的，总要回到基态。同样半导体辐射复合发光何光跃迁也是相似的。荧光分光是一种光致发光，利用氘灯的光作为激发，打在试样池上的试样上，然后用光电倍增管检测样品的荧光，在连接到计算机上进行分析处理。2、 紫外—可见光分光原理电子能级的能量差一般为1-20eV，相当紫外和可见光的能量。由于电子能级的跃迁而产生的光谱叫紫外-可见光谱。类似振动能级之间的跃迁产生的光谱叫红外光谱；转动能级之间的跃迁产生的光谱叫红外光谱。 电子光谱是指分子的外层电子或价电子的跃迁所产生的光谱。 物质分子对辐射的吸收，既和分子对这种频率辐射的吸收本领有关，有和分子同光子的碰撞几率有关。可推导出朗伯—比尔定律，即辐射吸收定律 A为吸光度， 代表不同物质分子对某种频率辐射的吸收本领，是波长的函数； 是不同物质的浓度，l是光在各向均匀的物质中的通过厚度。固定物质的浓度和吸收池厚度，以吸收度对辐射波长作图，得到物质的吸收光谱曲线。二、 实验步骤1、 荧光分光光度计荧光分光的整个物理过程在主机内完成，计算机用以处理数据和控制主机。开机程序：开疝灯电源→开主机电源→开计算机电源→测试关机程序：关计算机电源→关主机电源→关疝灯电源样品准备→光谱测定→光谱分析2、 紫外-可见光分光光度计开启分光光度计的电源，钨灯点燃，开启氘灯电源，经过6秒左右，氘灯点燃；开启计算机电源，自动进入 *** 作系统，同时启用系统应用软件。样品准备→光谱测定→光谱分析

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紫外光谱分析 是否可以采用标准加入法进行？为什么

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原子吸收光谱，又称原子吸收分光光度分析。原子吸收光谱分析是基于试样蒸气相中被测元素的基态原子对由光源发出的该原子的特征性窄频辐射产生共振吸收，其吸光度在一定范围内与蒸气相中被测元素的基态原子浓度成正比，以此测定试样中该元素含量的一种仪器分析方法。

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1. 深紫外发光光谱技术简介

深紫外发光光谱是研究半导体材料物理性质的一种重要手段。通常所说的半导体发光是半导体中电子从高能态跃迁至低能态时，伴之以发射光子的辐射复合。我们利用深紫外激光器产生的激光或电子q发出的电子束到达样品室并入射到样品表面，样品发出的荧光信号被收集进入单色仪，该信号经单色仪分光后由探测系统探测，计算机对探测信号进行采集并形成最终的深紫外发光光谱。

2. 供测量的光谱类型及其应用范围

光致发光（PL）：使用飞秒激光激发样品，波长：（1）177nm；（2）210nm-330nm可调；（3）345nm-495nm可调；（4）690nm-990nm可调。PL光谱可以实现稳态光谱和瞬态（时间分辨）光谱的测量。稳态光谱可用于研究半导体材料的基本物理性质，如晶体结构、电子态、声子结构、杂质、缺陷、激子复合机制等。瞬态光谱采用条纹相机探测，既可以得到不同时刻的时间分辨光谱，也可以得到某一波长处的荧光衰退曲线，时间分辨率为2ps。可以用来研究半导体材料载流子动力学性质。

阴极荧光（CL）：使用电子束激发样品，最大能量30keV。可用于表征宽禁带半导体材料性质。波长扫描范围：170nm-800nm。

3、深紫外发光光谱测试设备介绍：

1. PL光谱

技术参数与能力：

波长：690nm-990nm，345nm-495nm和210nm-330nm三个波段内可调，最小激光波长可达177nm

波长扫描范围：170nm-800nm

温度范围：8K-350K

时间分辨率(瞬态光谱)：2ps

狭缝、步长及激光功率视具体情况而定

2. CL光谱

技术参数与能力：

电子束能量：最高可达30keV

波长扫描范围：170nm-800nm

温度范围：8K-350K

狭缝和步长视具体情况而定

-------------米格实验室

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