半导体外延生长厚度

半导体外延生长厚度是500-800微米。通过气相外延沉积的方法在衬底上进行长晶，与最下面的衬底结晶面整齐排列进行生长，新生长的单晶层称为外延层，长了外延片的衬底称为外延片。作为衬底的硅片根据尺寸不同，厚度一般在500-800微米，常用的外延层厚度为2-100微米。

有关。

硅片电阻率的大小与材料的特性及膜层的厚度有关，厚度越大，横截面积越大，单位时间内通过的电流越大，电导率就能看出来比薄的大，电阻率小。

电阻率，是用来表示各种物质电阻特性的物理量，用某种材料制作的长1米、横截面积1平方米的导体的电阻，在数值上等于该材料的电阻率，由某种物质制成的原件(常温下20摄氏度)的电阻与横截面积的乘积与长度之比称为该物质的“电阻率”。

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