半导体单晶生长方式中直拉法和悬浮法的优缺点

半导体单晶生长方式中直拉法和悬浮法的优缺点如下：

1、直拉法优点：工艺成熟，可拉出大直径硅棒，是目前采用最多的硅棒生产方法。

2、直拉法缺点：直拉法中会使用到坩埚，而坩埚的使用会带来污染。同时在坩埚中，会有自然对流存在，导致生长条纹和氧的引入。直拉法生长多是采用液相掺杂，受杂质分凝、杂质蒸发，以及坩埚污染影响大，直拉法生长的单晶硅掺杂浓度的均匀性较差。

3、悬浮区熔法优点：多晶与单晶均由夹具夹着，由高频加热器产生一悬浮的溶区，多晶硅连续通过熔区熔融，在熔区与单晶接触的界面处生长单晶。与直拉法相比，去掉了坩埚，没有坩埚的污染，因此能生长出无氧的，纯度更高的单晶硅棒。

4、悬浮区熔法缺点：应用范围比较窄，不及直拉工艺成熟，单晶中一些结构缺陷没有解决。

我在实验室做过高温（相对接近绝对零度而言）磁悬浮，材料是液氮（其实可以用日常的开水瓶装的，用的时候像倒开水那样也冒烟，不过是冷的），一个可以在60k～80k温度左右发生超导现象的超导体（好像是某种陶瓷超导体），磁铁一块，你就可以作小研究了

用磁铁做简易磁悬浮方法：

1、结合永磁铁和电磁铁，利用一个微控制器和一个IR感应器，当内部装有磁铁的小物体放在电磁铁的下方，IR感应器就会感应到物体的存在，

2、微控制器就会启动电磁铁并调整磁力大小，当小物体受到向上的磁力和向下的重力相同时，它就会漂浮在空中，漂浮的位置和高度取决于重量和磁力大小。

悬浮技术主要包括电磁悬浮、光悬浮、声悬浮、气流悬浮、静电悬浮、粒子束悬浮等，其中电磁悬浮技术比较成熟。电磁悬浮技术(electromagnetic levitation)简称EML技术。

它的主要原理是利用高频电磁场在金属表面产生的涡流来实现对金属的悬浮体

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