射频笔记, 分立器件等效模型详细介绍

射频笔记, 分立器件等效模型详细介绍,第1张

下图描绘了电阻阻抗绝对值与频率的关系,正像看到的那样,低频时电阻的阻抗是R,然而当频率升高并超过一定值 时,寄生电容的影响成为主要的,它引起电阻阻抗的下降。当频率继续升高时,由于引线电感的影响,总的阻抗上升,引线电感在很高的频率下代表一个开路线或无 限大阻抗。

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如下图所示,由于存在介质损耗和有限长的引线,电容显示出与电阻同样的谐振特性。

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与电阻和电容相同,电感的高频特性同样与理想电感的预期特性不同,如下图所示:首先,当频率接近谐振点时,高频电感的阻抗迅速提高;第二,当频率继续提高时,寄生电容C的影响成为主要的,线圈阻抗逐渐降低。

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经过上面的模型分析,其实我们已经从低频系统到了高频系统。

下面是一个经常碰到的面试题:

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补充:我们认定高速信号的的规则,是:

上升时间《1/6传输延时;

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那么我们认定“高频信号”的规则,是什么呢?

波长/20 ≤ 元器件的集合长度,或者走线的长度。

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2cm的电阻,相比于各种频率的信号的波长对比。

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(完结)

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