现在是出现非易失性存储的时候了手机联盟•2022-8-7•技术•阅读34到目前为止,新兴的非易失性存储器(eNVM),如自旋转矩磁阻RAM(STT-MRAM)、可变电阻式存储器(ReRAM) 和相变存储器(PCM),由于可扩展性差、成本高以及缺乏主要内存制造商的支持,大多局限于利基市场。然而,2017年英特尔推出的基于3D XPoint(由Micron和Intel联合开发的技术)的光学产品可以被视为在主流应用中采用新兴NVM的决定性时刻。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出原文地址:https://54852.com/dianzi/2571020.html非易失性存储器eNVMRAMReRAM赞 (0)打赏 微信扫一扫 支付宝扫一扫 手机联盟一级用户组00 生成海报 SK海力士或将收购Magnachip 表示积极拓展非存储半导体事业的决心上一篇 2022-08-07SK海力士宣布停产36层和48层3D NAND 准备以强化技术应对市场 下一篇2022-08-07 发表评论 请登录后评论... 登录后才能评论 提交评论列表(0条)
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