长鑫存储DRAM产品陆续上线 向更先进和更大容量的DRAM发展

2 月 27 日讯，日前，国产芯片代表企业长鑫存储官方正式上线 DRAM 产品，包括 8Gb DDR4 芯片、8GB DDR4 内存条、2GB/4GB LPDDR4X 产品，均符合国际通行标准规范，相较于上一代 DDR3 芯片，拥有更快的数据传输速率，更稳定的性能和更低的功耗，将广泛用于目前主流市场，包括电脑、台式 PC、手机、平板、电视、人工智能等消费类电子产品。

据了解，长鑫存储 8Gb DDR4 芯片是第一颗国产 DDR4 芯片，2666 Mbps 速率，电压 1.2V，工作温度 0℃至 95℃，78 - ball FBGA、96 - ball FBGA 两种封装规格，其高速数据传输、支持多领域应用、多产品组合，并有充分的可靠性保障。该芯片也是目前国际原厂三星、SK 海力士、美光主流量产的产品。不同的是，国际原厂三星、美光、SK 海力士 DRAM 技术将在 2020 年加快向第三代 10nm（1znm）技术过渡，并将大规模量产 16Gb DDR4，预计长鑫存储也会跟进，快速向更先进和更大容量的 DRAM 发展。

8GB DDR4 内存条是长鑫存储自主开发设计，电压 1.2V，工作温度 0℃至 95℃，260 - pin SODIMM 封装，2666 Mbps 速率，其高容量、高性能等优势，以及可靠性保障，可满足 PC、电脑、电视等主流市场需求。

LPDDR4X 内存芯片号称匹配主流需求，兼备高速度与低功耗，可提供超高续航能力、超低功耗设计、稳定流畅体验，规格方面单颗容量 2GB、4GB，频率 3733MHz，电压 1.8V、1.1V、0.6V，工作温度 -30℃至 85℃，200ball FBGA 封装。可满足要求高速和低功耗的移动市场需求，包括中 / 低端手机、平板，以及智能手表 / 手环、AR/VR 等消费类产品需求。

长鑫存储从 Polaris 获得大量 DRAM 技术专利的实施许可，这些专利来自 Polaris 2015 年 6 月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。2016 年 5 月长鑫存储在安徽合肥启动，总投资 1500 亿元，专业从事 DRAM 内存的研发、生产和销售，目前已建成第一座 300 毫米晶圆厂并投产，并通过专用研发线快速迭代研发，结合当前先进设备大幅度改进工艺，开发出了独有的技术体系。