一文图解芯片制造流程

一文图解芯片制造流程,第1张

单晶硅锭(Ingot):圆柱形,重量约100Kg,硅纯度99.9999%。

晶圆切割(Wafer):直径含6英寸、12英寸、18英寸,表面光亮,完美无暇。

光刻(Photo):平面型晶体管集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔,以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。

蚀刻(Etching):按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离。刻蚀技术不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺,而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。刻蚀还可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。

分层(Level):通过重复影印和蚀刻,形成多层的机构,AMD已达到9层。

封装(Package):安装半导体集成电路芯片用的外壳,起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用,而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁。芯片封装类型包含双列直插DIP、贴片PLCC与TQFP、SOP、TSOP、PQFP、LGA、PGA、BGA

测试(FinalTest):确保芯片满足设计的各项功能。

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