联电新推40nmSST嵌入式快闪记忆存储器制程

联华电子宣布，推出的40nm纳米SST嵌入式快闪记忆，在以往55纳米单元尺寸减少20%以上，整体缩小了20～30%。东芝电子元件&存储产品公司赈灾评估这个微处理器芯片。