
总之,FET的工作原理是& ldquo流经漏极和源极之间的沟道的ID用于控制由栅极和沟道之间的pn结形成的反向偏置的栅极电压。。更准确地说,ID流过的沟道的宽度,即沟道的横截面积,是由pn结反向偏置的变化来控制的,从而导致耗尽层的膨胀变化。在VGS=0的非饱和区,过渡层的延伸不是很大。根据施加在漏极和源极之间的VDS电场,源区中的一些电子被漏极拉走,即电流ID从漏极流向源极。从栅极延伸到漏极的过渡层使得一部分沟道被阻挡,ID饱和。这种状态称为夹断。这意味着过渡层阻挡了一部分通道,但电流没有被切断。
由于过渡层中没有电子和空空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,电流通常难以流动。但此时漏源之间的电场实际上是两个过渡层接触漏极和栅极的下部,被漂移电场拉走的高速电子穿过过渡层。因为漂移电场的强度几乎是恒定的,所以会发生ID的饱和现象。其次,VGS向负方向变化,使VGS=VGS(off),此时过渡层几乎覆盖整个区域。而且VDS的电场大部分施加在过渡层上,把电子拉向漂移方向的电场只有很短的一部分靠近源,使得电流无法流动。
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