1.EEPROM介绍Electrically Erasable Programmable Read Only Memory电气可拭除可编程只读存储器发展过程：ROM – 》 PROM –》 EPROM

由于客户在请人设计开发一设备，但是设备用户处总停电，造成设备及其周边耗材损耗严重，因此请我司在现有STC为主要芯片的基础上做掉电瞬间EEPROM里的20个参数保存，上电后通过读取EEPROM中的参数回

实验目的：熟悉SPI总线以及9346EEPROM的读写;RBO键按下时把DATA和DATA2写入到EEPROM中以EE—ADDR为地址的单元内，;完成后，单个数码观显示“9”做为完成标志;RB1键按下

于stc自带EEPROM来说，用起来唯一不太方便的地方就是每次修改任何一个字节需要将整个扇区都擦除才能修改，所以每次修改都要讲整个扇区内容用数组全部读出缓存起来，进行擦除 *** 作，讲需要修改的内容在相应的

STC51单片机有类似flash的功能EEPROM，可以掉电保存数据，不同型号的可以保存不同大小的数据，以12C5A60S2为例，EEPROM的大小为2K，分为两个扇区，掉电保存在很多地方需要。首先寄

STC89C51、52内部都自带有2K字节的EEPROM，54、55和58都自带有16K字节的EEPROM，STC单片机是利用IAP技术实现的EEPROM，内部Flash擦写次数可达100，000 次

我们知道，打电话的时候，当拨通电话，接听方捡起电话肯定要回一个“喂”，这就是告诉拨电话的人，这边有人了。同理，这个第九位 ACK 实际上起到的就是这样一个作用。当我们发送完了这7位地址和1位方向后，如

单片机系统经常需要存取一些少量的参数，如串口的地址码，波特率，等等，装这些参数通过PC机进行设置，并存储在本地，同时可以利用通讯端口来修改。参数可以存储在EEPROM中，可以放在外挂的存储器上，或者R

由于在暑假匆忙接收的嵌入式项目中需要使用特别大的数组，非分页RAM的内存不够用了，没办法，硬着头皮尝试使用分页RAM，但是完全没有单片机的基础，导致极其的困难。之前写程序都是按照纯软件的思维，主要考虑

艾尔默斯公司（elmos）宣布推出了内置PSI5接口的第二代压力传感器芯片-E524.40。该产品专门针对汽车安全应用（侧安全气囊和行人保护系统）而设计的。该传感器的性能不会受到环境平均气压的干扰，能

EEPROM 写数据流程第一步，首先是 I2C 的起始信号，接着跟上首字节，也就是我们前边讲的 I2C 的器件地址，并且在读写方向上选择“写” *** 作。第二步，发送数据的存储地址。24C02 一共 256

STC89C51、52内部都自带有2K字节的EEPROM，54、55和58都自带有16K字节的EEPROM，STC单片机是利用IAP技术实现的EEPROM，内部Flash擦写次数可达100，000 次

在当今世界上，大多数高度集成系统所执行的功能均不止一项，而且专为与其他系统和外设对接而设计。此外，还常常对同一个硬件进行再配置以满足不同地区或最终用户的需要，从而减少设备制造商的库存开销金额。普通的最

STC89C51、52内部都自带有2K字节的EEPROM，54、55和58都自带有16K字节的EEPROM，STC单片机是利用IAP技术实现的EEPROM，内部Flash擦写次数可达100，000 次

由于在使用时，找了很久也没找到相关的程序，因此把自己后来编写的程序贴出来，希望能给后来者借鉴参考！;实验目的：熟悉SPI总线以及9346EEPROM的读写;RBO键按下时把DATA和DATA2写入到E

基于公司成熟的SONOS技术，新增的Flash和EEPROM为汽车，医疗和工业领域带来了许多新的可能性。全球领先的模拟混合信号和专业代工厂商X-FAB Silicon Foundries， 今天宣布

HOLTEK推出HT46R004单片机Holtek Enhanced AD Type OTP MCU新增HT46R004 MCU。HT46R004内建有12-bit AD与8-bit PWM，可减

安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN）推出来自收购Catalyst半导体而得的温度传感器新产品线的第二款产品—— CAT34TS02。这新器件结合了12位（另

引言路灯和景观灯是城市夜晚一道亮丽的风景线，也是城市中必需的公用照明设施。城市照明监控系统是一种监测与控制的集成系统。一套高效的城市照明监控系统可以节省大量的人力物力。但目前，我国城市照明监控技术还比