做Si集成电路的fab里，你列举的这些都用的到。硅烷和笑气，长氧化硅时候用。HCL:清洗wafer的时候用。CF4:蚀刻Si和氧化硅的时候用。SF6:蚀刻Si的时候用。其他还有BCl3, Cl2, Ar差不多都是蚀刻的使用。氮气是保护气体，

大约80度左右。在分子里，原子间结合形成化学键。化学键形成的原因是电子受两个原子核吸引，但电子并不是固定不动的，不管在任何时间，分子与原子内的电子会集中形成负电区，而原子核所在的地方会形成正电区。电荷这种暂时分开的现象，称为偶极。偶极的负

锗、硅、硒、砷化镓、许多金属氧化物和金属硫化物等。其导电性介于导体和绝缘体之间的半导体称为半导体。半导体有一些特殊的性质。例如，可以利用半导体的电阻率与温度的关系来制作热敏元件(热敏电阻)，用于自动控制；利用其光敏特性，可制成光敏元件用于自

固晶锡膏与普通锡膏的区别：1、共同点1.1 都是锡膏状态，且根据熔点选择不同合金的锡粉组成1.2 都是罐装或者针筒包装1.3 都分有铅、无铅两大类2、不同点2.1 普通锡膏：普通SMT锡膏由于应用的的要求不高，所以对锡珠、润湿性、空洞等要求

芯片法案后，半导体行业的机：1、工程拉锯战的开启。美国的新变法案立案之后，要求对美国本土的芯片提供巨额的补贴，但是提供的补贴有一个要求就是公司必须在美国本土制造芯片。这个法案的提出其实就是为了吸引更多的企业在美国本土进行投资和建厂。企图用

      高温超导项目产业化破冰：联创光电公司与中铝集团东北轻合金有限公司(一铝)签订高温超导设备合作协议，目前已启动为其锻造产线配备首台产品。除此，公司同时与南山铝业集团签署相关合作协议，为其生产配备的首台产品即将完成。公司目前正与国内

大全多晶硅厂氯碱车间主要分为一次盐水，电解，氯氢，液氯，公用工程，配电，集控等工段，其中电解和氯氢是主要工段，主要工作大部分时间是巡检，一般要求是一小时巡检一次，大部分时间是很自由的，没有什么力气活，其中比较好的岗位是DCS，化验，仪表，I

工业制硅化学方程式：2C+SiO2==高温＝＝2CO+Si（得到粗硅）Si+2Cl2==SiCl42H2+SiCl4==高温＝＝Si+4HCl（得到精硅）硅的物理性质：1、有无定形硅和晶体硅两种同素异形体。2、晶体硅为灰黑色，无定

胶带在我们生活中是非常熟悉的，并且也是不可缺少的一种工具。胶带的种类也是非常多的，例如最常见的几种是高温胶带，双面胶带，绝缘胶带，特种胶带，压敏胶带，模切胶带等等，每种胶带的特性也是不一样的，其中胶带的主要成分是橡胶和各种聚合物。并且胶带在

碳化硼的性能：1、碳化硼重要的性能在于其超常的硬度(莫氏硬度为9.3)，硬度仅次于金刚石和立方氮化硼，是理想的高温耐磨材料；2、碳化硼密度很小，是陶瓷材料中轻的，可用于航天航空领域；3、碳化硼的中子吸收能力很强，相对于纯元素B和Cd来说，造

铜钼在半导体中有可调的热膨胀系数，高导热率及其高强度的作用。钼熔点、沸点高，高温强度好，抗摩耐腐蚀，热传导率大，热膨胀系数小，淬透性好等优点，使它在宇航、兵器、电子、化工等领域广泛应用。钼的密度基本上接近于理论密度，因此其具有高强度，内部安

GH4169的物化性能如下：GH4169（GH169）高温合金，GH4169合金是以体心四方的γ"和面心立方的γ′相沉淀强化的镍基高温合金，在-253～700℃温度范围内具有良好的综合性能,650℃以下的屈服强度居变形高温合金的首

半导体芯片制造过程都要很严谨的设备，包括功率作用的半导体也一样。一般来说半导体制程中的“热”包括：晶圆的拉晶用高温蒸镀电热管，切晶圆和功率晶粒，功能晶片的高温钻石刀，封装的高温制程有各种热导管和热熔炉，测试用的高温高压蒸馏炉箱。“气”包括有

半导体芯片制造过程都要很严谨的设备，包括功率作用的半导体也一样。一般来说半导体制程中的“热”包括：晶圆的拉晶用高温蒸镀电热管，切晶圆和功率晶粒，功能晶片的高温钻石刀，封装的高温制程有各种热导管和热熔炉，测试用的高温高压蒸馏炉箱。“气”包括有

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有啊，国内的威宇佳发展得很不错，这家公司是国内首家电动汽车用IGBT动态测试设备制造商，获得过多项专利和软件著作权。他们的产品已服务于国内多家大型功率半导体制造商，产品界面简便易用， *** 作轻松上手快。威宇佳的测试设备很出色，可靠性高、效率高，

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我不是做封装的，不过我经常用RIE（Reactive Ion Etch）原理就是用各种气体的plasma来对半导体芯片进行蚀刻不同气体的plasma的作用是不一样的~你说的除去异物的那种，我估计应该是氧气（O2）或者氩气（Ar）吧？ 激活表

钨的主要用途 钨及其合金广泛应用于电子、电光源工业。用于制造各种照明用灯泡，电 子管灯丝使用的是具有抗下垂性能的掺杂钨丝。 掺杂钨丝中添加铼。由含铼量低的钨铼合金丝与含铼量高的钨铼合金丝制 造的热电偶， 其测温范围极宽(0～2500℃)，