半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质.它的重要特性表现在以下几个方面：（1）热敏性半导体材料的电阻率与温度有密切的关系.温度升高,半导体的电阻率会明显变小.例如纯锗（Ge）,温度每升高10度,其电阻率就会减少到原来的一半.（2）光电特

答案如下：在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的5价元素,例如磷,则磷原子就取代了硅晶体中少量的硅原子,占据晶格上的某些位置.磷原子最外层有5个价电子,其中4个价电子分别与邻近4个硅原子形成共价键结构,多余的1个价电子在共价键之外,只受到磷原

外延(Epitaxy, 简称Epi)工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层(SiSi)，也可以是异质外延层(SiGeSi 或SiCSi等)；同样实现外延生长也有很多方法，包括分子束外延(M

本征半导体是指完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体,一般是指其导电能力主要由材料的本征激发决定的纯净半导体。典型的本征半导体有硅Si、锗Ge及砷化镓GaAs等。本征半导体是指化学成分纯净的半导体，它在物理结构上有多晶体和单晶体两种形态，制

锗、硅、硒、砷化镓、许多金属氧化物和金属硫化物等。其导电性介于导体和绝缘体之间的半导体称为半导体。半导体有一些特殊的性质。例如，可以利用半导体的电阻率与温度的关系来制作热敏元件(热敏电阻)，用于自动控制；利用其光敏特性，可制成光敏元件用于自

扩散技术目的在于控制半导体中特定区域内杂质的类型、浓度、深度和PN结。在集成电路发展初期是半导体器件生产的主要技术之一。但随着离子注入的出现，扩散工艺在制备浅结、低浓度掺杂和控制精度等方面的巨大劣势日益突出，在制造技术中的使用已大大降低。1

半导体和芯片的区别如下：1、概念不同。芯片是半导体元件产品的统称，将电路小型化的方式。半导体是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。2、特点不同。芯片是把电路制造在半导体芯片上的集成电路。集成电路是包括芯片制造技术与设计技术。3、

光与非晶态半导体作用所产生的光吸收包括本征吸收、 激子吸收、 自由载流子吸收、 声子吸收及杂质吸收等， 由于吸收方式不同， 它们分别发生在不同的光谱波段。本征吸收当用能量足够大的光子照射某种非品态半导体时， 可其价带中电子吸收光子后跃迁到导

在本征半导体中加入五价元素可形成n型半导体。本征半导体中加入磷、锑、砷元素可形成N型半导体，加入的都是5价元素。本征半导体是指完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体，一般是指其导电能力主要由材料的本征激发决定的纯净半导体。典型的本征半导体有

1、在极低温度下，半导体的价带是满带（见能带理论），受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。空穴导电并不是实际运动，而是一种等效。2、电子导电

褚君浩（1945年3月20日—），男，出生于江苏宜兴，红外物理学家、半导体物理和器件专家，中国科学院院士，中国科学院上海技术物理研究所研究员，东华大学理学院院长[1]。1966年，褚君浩毕业于上海师范学院（现上海师范大学）物理系。1981年

决定半导体材料的基本物理特性，即原子或离子的长程有序的周期性排列。按空间点阵学说，晶体的内在结构可概括为一些相同点在空间有规则地作周期性的无限分布。点子的总体称为点阵，通过点阵的结点可作许多平行的直线组和平行的晶面组。这样，点阵就成网格，称

超晶格材料按形成它的异质结类型分为第一类、第二类和第三类超晶格。第一二三类超晶格第一类超晶格的导带和价带由同一层的半导体材料形成。第二类超晶格的导带和价带在不同层中形成，因此电子和空穴被束缚在不同半导体材料层中。第三类超晶格涉及半金属材料。

原理：在极低温度下，半导体的价带是满带（见能带理论），受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。空穴导电并不是实际运动，而是一种等效。电子导

纯净半导体是由硅组成的,由于导电能力弱,因此掺杂另外的元素,成为掺杂半导体.N型半导体是用一个5价磷原子代替原来的四价硅原子,这样有4个电子与周围4个硅原子组成共价键后,剩余一个电子,因此形成以电子为多数载流子的N型半导体.同理,用

在直拉单晶中，需要一定晶向的晶种作为直拉单晶引晶，晶向主要有[100]、[110]、[111]三种。半导体三种晶向都有，太阳能主要用[100]晶向的籽晶。 区熔籽晶的型号有N型和P型，是籽晶中纯度和电阻率要求最高的，电阻率至少要求在300

1、半导体芯片：在半导体片材上进行浸蚀，布线，制成的能实现某种功能的半导体器件。不只是硅芯片，常见的还包括砷化镓（砷化镓有毒，所以一些劣质电路板不要好奇分解它），锗等半导体材料。半导体也像汽车有潮流。二十世纪七十年代，因特尔等美国企业在动态

一、N型半导体N型半导体也称为电子型半导体，即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。形成原理掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，可提供除满足共

3寸的棒子可以做二极管，4寸的多半是做成抛光片然后做三极管什么的 一楼的有一点说错了，3、4寸的棒子现在已经没有用在太阳能电池片的制造了，太阳能电池片已经在向8寸发展了，目前常规都是6寸居多指的是硅原子的一种排列形式形成的物质。硅是最常见应