在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。 （ 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结，在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体，并形成阻挡层或接触电位差。当P型接正

综述：N型半导体的载流子是电子,参入的杂质一般是磷；P型半导体的载流子是空穴（就是一个原子失去电子后的状态,但是空穴只是对应电子的一种叫法,并没有空穴）,参入杂质一半是B。半导体( semiconductor)，指常温下导电性能介于导体

N型半导体 在硅或锗等本征半导体材料中掺入微量的磷、锑、砷等五价元素,就变成了以电子导电为主的半导体,即N型半导体.在N型半导体中,电子（带负电荷）叫多数载流子,空穴（带正电荷）叫少数载流子.P型半导体 在硅或锗...在本征半导体中掺入微量

下面，我们将采用对比分析的方法来认识P型半导体和N型半导体。P型半导体也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。在P型半导体

n型半导体和p型半导体的区别如下：1、形成原因不同在半导体中掺入施主杂质，就得到N型半导体；施主杂质：周期表第V族中的某种元素，例如砷或锑。在半导体中掺入受主杂质，就得到P型半导体；受主杂质：周期表中第Ⅲ族中的一种元素，例如硼或铟。

1、杂质半导体按导体电流类型分为百电子型半导体和空穴型半导体2、N型半导体，以电子为多数载流子的半导材料，n为negative(负)之意。n型半导体是通过引入施主型杂质而形成的。在纯半导体材料中掺入杂质，使禁带中出现杂质能级，若杂质原

1、形成原因不同在半导体中掺入施主杂质，就得到N型半导体；施主杂质：周期表第V族中的某种元素，例如砷或锑。在半导体中掺入受主杂质，就得到P型半导体；受主杂质：周期表中第Ⅲ族中的一种元素，例如硼或铟。2、导电特性不同P型半导体的导电特

在N型半导体中，自由电子多，空穴少，多子是自由电子，少子是空穴。在P型半导体中，空穴多，自由电子少，多子是空穴，少子是自由电子。不论是N型半导体中的自由电子，还是P型半导体中的空穴，它们都参与导电，统称为“载流子”，“载流子”导电是半导

在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。 （ 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结，在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体，并形成阻挡层或接触电位差。当P型接正

电子型半导体和空穴型半导体。电子型半导体是以电子为多数载流子的半岛材料，它是通过引入式主型杂质而形成的。空穴型半导体是指以带正电的空穴导电为主的半导体。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产

制造半导体一般是使用热扩散的方法将III族或VI族元素掺入本征半导体或者以掺杂的半导体中，这说的是同质结。如果是异质结一般是使用磷烷和硼烷分别和硅烷混合后，气相沉积在以掺杂的半导体衬底上。生产异质结还有一些别的外延生长的方法。1、杂质半导

本征半导体（intrinsic semiconductor)）完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。实际半导体不能绝对地纯净，本征半导体一般是指导电主要由材料的本征激发决定的纯净半导体。更通俗地讲，完全纯净的半导体称为本征半导

1、形成原因不同在半导体中掺入施主杂质，就得到N型半导体；施主杂质：周期表第V族中的某种元素，例如砷或锑。在半导体中掺入受主杂质，就得到P型半导体；受主杂质：周期表中第Ⅲ族中的一种元素，例如硼或铟。2、导电特性不同P型半导体的导电特

纯静的金属铝不是半导体，应该是属于“良导体”物质，这在以前的电力供应中，电力线路上很普遍地都用到了铝作为导线的；如果是含有杂质的铝过某些铝的合金则另当别论了。 麻烦采纳，谢谢!定义：材料的电阻率界于金属与绝缘材料之间的材料。这种材料在某个温

半导体与金属一半一半的混合,混合物的金属棵粒会相互接触，就成为导体了。但半导体棵粒的导电性质不会变。另外半导体没有单向导电性质，其导电性没有方向性，你把半导体与半导体二极管混淆了。P型或N型半导体是在不改变半导体晶体晶格的情况下，掺入微量的

单晶硅。芯片原材料主要是单晶硅,硅的性质是可以做半导体,高纯的单晶硅是重要的半导体材料,因此芯片是半导体。而半导体指常温下导电性能介于绝缘体与导体之间的材料,也就在使用的过程中有时传电、有时不传电。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,而硅

N型半导体：也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由

p型半导体中掺入的三价元素是硼、铟、镓等。要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。对于Ⅳ族元素，半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂对于Ⅲ-Ⅴ族化合物

下面，我们将采用对比分析的方法来认识P型半导体和N型半导体。P型半导体也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。在P型半导体